過壓保護(hù)

　　晶閘管的過電壓能力極差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以抑制晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。

　　(1)阻容吸收回路

　　晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣，因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流.使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快.即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L (di/dt)值仍很大.這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5-6倍，所以必須采取抑制措施。

　　阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能抑制晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子.即引線要短。最好采用無感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。

　　接線方法如圖：

　　三相整流模塊 單相整流模塊

　　三相交流模塊 單相交流模塊

　　(2)壓敏電阻吸收過電壓

　　壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA)，是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30%的余量計算。

　　V1mA≥1.3√2·U

　　式中 U——壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。接線方法如圖：

　　三相模塊 單相模塊